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STU75N3LLH6-S

更新时间: 2024-11-02 12:27:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
21页 1115K
描述
N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK

STU75N3LLH6-S 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-251
包装说明:ROHS COMPLIANT, IPAK-3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A最大漏源导通电阻:0.0084 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-251
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STU75N3LLH6-S 数据手册

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STD75N3LLH6, STP75N3LLH6  
STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S  
N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK  
STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET  
Features  
TAB  
TAB  
Order codes  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
3
1
STD75N3LLH6  
STP75N3LLH6  
STU75N3LLH6  
STU75N3LLH6-S  
< 0.0055 Ω  
3
2
DPAK  
1
30 V  
75 A  
IPAK  
< 0.0059 Ω  
TAB  
TAB  
R  
* Q industry benchmark  
g
DS(on)  
3
3
2
2
Extremely low on-resistance R  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power losses  
DS(on)  
1
1
TO-220  
Short IPAK  
Application  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
Switching applications  
D (TAB or 2)  
Description  
This N-Channel Power MOSFET product utilizes  
th  
the 6 generation of design rules of ST’s  
proprietary STripFET™ technology, with a new  
gate structure.The resulting Power MOSFET  
G(1)  
exhibits the lowest R  
in all packages.  
DS(on)  
S(3)  
AM01474v1  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
STD75N3LLH6  
STP75N3LLH6  
STU75N3LLH6  
STU75N3LLH6-S  
Tape and reel  
TO-220  
IPAK  
75N3LLH6  
Tube  
Short IPAK  
July 2011  
Doc ID 15978 Rev 4  
1/21  
www.st.com  
21  

STU75N3LLH6-S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STU7NM60N STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 600 V, 5 A, 0.84 ohm, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Powe
STU10NM60N STMICROELECTRONICS

功能相似

N-channel 600 V, 0.53 ohm, 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmesh II Power MOSFET

与STU75N3LLH6-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STU7LN80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET,IP
STU7N105K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道1050 V、1.4 Ohm典型值、4 A MDmesh K5功率MOSFET,IP
STU7N60M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道600 V、0.86 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET,IP
STU7N65M2 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道650 V、0.98 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET,IP
STU7N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,IP
STU7NA60 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR
STU7NA80 STMICROELECTRONICS

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N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET
STU7NA90 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR
STU7NB100 STMICROELECTRONICS

获取价格

N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU7NB90 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.3 A Max220/Max22