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STU7NB100 PDF预览

STU7NB100

更新时间： 2024-11-28 22:18:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
5页 48K
描述
N - CHANNEL 1000V - 1.2ohm - 7.3A - Max220 PowerMESH MOSFET

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STU7NB100 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：MAX220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.88
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：600 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A最大漏极电流 (ID)：7.3 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：29 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STU7NB100 数据手册

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STU7NB100  
®
N - CHANNEL 1000V - 1.2Ω - 7.3A - Max220  
PowerMESH MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
STU7NB100  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
1000 V  
< 1.5 Ω  
7.3 A  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 1.2 Ω  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW INTRINSIC CAPACITANCE  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
2
REDUCED VOLTAGE SPREAD  
1
DESCRIPTION  
Max220  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstand-  
ing performances. The new patent pending strip  
layout coupled with the Company’s proprietary  
edge termination structure, gives the lowest  
RDS(on) per area, exceptional avalanche and  
dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and  
switching characteristics.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLY (SMPS)  
DC-AC CONVERTER FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTABLE  
POWER SUPPLY AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
VDGR  
VGS  
ID  
Parameter  
Value  
1000  
1000  
± 30  
7.3  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
V
V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
V
o
Drain Current (continuous) at Tc = 25 C  
A
o
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 C  
4.7  
A
I
DM(•)  
Drain Current (pulsed)  
29  
A
o
Ptot  
Total Dissipation at Tc = 25 C  
160  
W
Derating Factor  
1.28  
4
W/oC  
V/ns  
oC  
oC  
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope  
Tstg  
Storage Temperature  
-65 to 150  
Tj  
Max. Operating Junction Temperature  
150  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
(1) ISD ≤7.3 Α, di/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX  
1/5  
March 1999  
12345

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STU7NB100 替代型号

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