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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, H2PAK-6, 7 PIN |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | ULTRA-LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH260N6F6-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 60 V, 1.7 mΩ typ., 180 A STripFETâ |
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| STH26N25 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218 |
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| STH26N25FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR |
|
| STH270N4F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET |
|
| STH270N4F3-6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET |
|
| STH270N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK- |
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| STH270N8F7-6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK- |
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| STH275N8F7-2AG | STMICROELECTRONICS |
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AEC-Q101 qualified |
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| STH275N8F7-6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
AEC-Q101 qualified |
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| STH290N4F6-2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High avalanche ruggedness |
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