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STH270N4F3-2

更新时间： 2024-09-15 12:28:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
19页	1023K
描述
N-channel 40 V, 1.4 mÎ© typ., 180 A STripFET III Power MOSFET

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STH270N4F3-2 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.74	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STH270N4F3-2 数据手册

STH270N4F3-2, STH270N4F3-6

N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET™ III Power MOSFET

in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages

Datasheet −production data

Features

Order codes

V_DS

R_DS(on)max

I_D

TAB

STH270N4F3-2

STH270N4F3-6

TAB

40 V

1.7 mΩ

180 A

• Conduction losses reduced

• Low profile, very low parasitic inductance, high

H²PAK-2

H²PAK-6

current package

Applications

• Automotive switching applications

Figure 1. Internal schematic diagram

Description

These devices are N-channel enhancement

mode Power MOSFETs produced using

STMicroelectronics’ STripFET™ III technology,

which is specifically designed to minimize on-

resistance and gate charge to provide superior

switching performance.

Table 1. Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

STH270N4F3-2

STH270N4F3-6

H²PAK-2

H²PAK-6

270N4F3

Tape and reel

March 2013

DocID16957 Rev 2

1/19

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...19

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STH270N8F7-2	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-
STH270N8F7-6	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-
STH275N8F7-2AG	STMICROELECTRONICS	获取价格	AEC-Q101 qualified
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