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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH400N4F6-2 | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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| STH400N4F6-6 | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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| STH410N4F7-2AG | STMICROELECTRONICS |
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Switching applications |
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| STH410N4F7-6AG | STMICROELECTRONICS |
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Switching applications |
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| STH45N10 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-218 |
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| STH45N10FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27A I(D) | TO-218VAR |
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| STH47N60DM6-2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFE |
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| STH48D35 | TELEDYNE |
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High Industrial Performance (HIPak) Solid-State Relays |
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| STH48D50 | TELEDYNE |
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High Industrial Performance (HIPak) Solid-State Relays |
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| STH4N80 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TO-218 |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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