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STH300NH02L-6

更新时间： 2024-11-20 14:58:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
15页 1037K
描述
汽车级N沟道24 V、0.95 mOhm典型值、180 A STripFET III功率MOSFET，H2PAK-6封装

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STH300NH02L-6 技术参数

生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, H2PAK-7
针数：7Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：2.17雪崩能效等级（Eas）：1600 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：24 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STH300NH02L-6 数据手册

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STH300NH02L-6  
Automotive-grade N-channel 24 V, 0.95 mΩ typ., 180 A  
2
STripFET™ III Power MOSFET in a H PAK-6 package  
Datasheet  
−
production data  
Features  
(1)  
Order code  
VDSS  
RDS(on) max. ID  
< 1.2 mΩ 180 A  
TAB  
STH300NH02L-6  
24 V  
1. Current limited by package.  
• Designed for automotive applications and  
7
AEC-Q101 qualified  
1
• Conduction losses reduced  
H2PAK-6  
• Low profile, very low parasitic inductance, high  
current package  
Applications  
Figure 1. Internal schematic diagram  
• Switching applications  
Description  
This device is an N-channel enhancement mode  
Power MOSFET produced using  
STMicroelectronics’ STripFET™ III technology,  
which is specifically designed to minimize on-  
resistance and gate charge to provide superior  
switching performance.  
Table 1. Device summary  
Order code  
Marking  
300NH02L  
Package  
Packaging  
H2PAK-6  
STH300NH02L-6  
Tape and reel  
July 2013  
DocID019022 Rev 4  
1/15  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
15  
 
 
1234567...15

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与STH300NH02L-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STH30N65DM6-7AG STMICROELECTRONICS

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 		汽车级N沟道650 V、102 mOhm典型值、28 A MDmesh DM6功率MOSF
STH310N10F7-2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100 V, 1.9 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK
STH310N10F7-6 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 1.9 m typ., 180 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in H2PAK-2 and H2PAK
STH315N10F7-2 STMICROELECTRONICS

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 		High avalanche ruggedness
STH315N10F7-6 STMICROELECTRONICS

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 		High avalanche ruggedness
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 		Automotive switching applications
STH320N4F6-6 STMICROELECTRONICS

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 		Automotive switching applications
STH33N20 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH33N20FI STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH-38R HITACHI

获取价格

 		Splitter And Combiner, 320MHz Min, 400MHz Max, 1dB Insertion Loss-Max, CHIP, 3 PIN

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