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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 230 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.2 A | 最大漏源导通电阻： | 3.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 55 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 290 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH4N90FI | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH5000-200 | ETC |
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Industrial Control IC |
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| STH51001Z | INFINEON |
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Laser Diode Emitter, 1280nm Min, 1330nm Max |
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| STH51002Z | INFINEON |
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1300nm Laser in Coaxial TO-Package |
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| STH51004A | INFINEON |
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1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
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| STH51004G | INFINEON |
获取价格 |
1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
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| STH51004N | INFINEON |
获取价格 |
Laser Diode Emitter, 1280nm Min, 1330nm Max, 1000Mbps, SC/PC Connector, TO-46, Panel Mount |
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| STH51004X | INFINEON |
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1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
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| STH51004Z | INFINEON |
获取价格 |
Laser Diode Emitter, 1280nm Min, 1330nm Max, 1000Mbps, TO-46, Panel Mount, HERMETIC SEALED |
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| STH51005A | INFINEON |
获取价格 |
1300 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, High Power |
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