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STH320N4F6-2

更新时间： 2024-11-24 01:23:19

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
19页	1071K
描述
Automotive switching applications

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STH320N4F6-2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	43 weeks 2 days
风险等级：	8.59	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	200 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

STH320N4F6-2 数据手册

STH320N4F6-2,

STH320N4F6-6

N-channel 40 V, 1.1 mΩ typ., 200 A, H²PAK-2, H²PAK-6

STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

Datasheet — production data

Features

(1)

Order codes

V_DS

R_DS(on)max

I_D

TAB

STH320N4F6-2

STH320N4F6-6

TAB

40 V

1.3 mΩ

200 A

1. Current limited by package.

■ Standard threshold drive

■ 100% avalanche tested

H²PAK-6

H²PAK-2

Applications

■ Automotive switching applications

Description

Figure 1.

Internal schematic diagram

These devices are N-channel Power MOSFETs

developed using the 6^thgeneration of STripFET™

DeepGATE™ technology, with a new gate

structure. The resulting Power MOSFETs exhibits

the lowest R_DS(on)in all packages.

D(TAB)

G(1)

S(2, 3)

S(2, 3, 4, 5, 6, 7)

H²PAK-2

H²PAK-6

SC06140_H2PAK-2-6

Table 1.

Device summary

Order codes

Marking

Package

Packaging

Tape and reel

STH320N4F6-2

STH320N4F6-6

H²PAK-2

H²PAK-6

320N4F6

February 2013

Doc ID 024221 Rev 1

1/19

This is information on a product in full production.

www.st.com

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