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STH33N20FI

更新时间: 2024-11-05 22:21:15
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 330K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STH33N20FI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.9
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):150 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.085 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):300 pF
JEDEC-95代码:TO-218JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:70 W最大功率耗散 (Abs):70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):132 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大开启时间(吨):215 nsBase Number Matches:1

STH33N20FI 数据手册

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