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STH4N90FI

更新时间: 2024-11-04 22:16:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 624K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STH4N90FI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.3Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):230 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):2.7 A最大漏极电流 (ID):2.7 A
最大漏源导通电阻:3.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):55 pFJEDEC-95代码:TO-218
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:55 W
最大功率耗散 (Abs):55 W最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大开启时间(吨):290 ns
Base Number Matches:1

STH4N90FI 数据手册

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