STH60N10FI

更新时间： 2024-11-18 22:21:15

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STH60N10FI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-218	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	720 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	350 pF
JEDEC-95代码：	TO-218	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	70 W	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大开启时间（吨）：	480 ns	Base Number Matches：	1

STH60N10FI 数据手册

STH60N10/FI

STW60N10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STH60N10

STH60N10FI

STW60N10

100 V

< 0.025 Ω

60 A

36 A

60 A

TO-247

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.02 Ω

AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

LOW GATE CHARGE

VERY HIGH CURRENT CAPABILITY

175^oC OPERATING TEMPERATURE

APPLICATION ORIENTED

TO-218

ISOWATT218

CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SOLENOID AND RELAY DRIVERS

REGULATORS

DC-DC & DC-AC CONVERTERS

MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,

ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

STH/STW60N10

Unit

STH60N10FI

V_DS

V_{DG R}

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

100

± 20

I_D

I_DM(•)

P_tot

240

200

1.33

240

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

W/^oC

^oC

Derating Factor

0.56

V_ISO

T_stg

T_j

Insulation Withstand Voltage (DC)

Storage Temperature

4000

-65 to 150

150

-65 to 175

175

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/11

May 1993

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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