5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > STH260N6F6-2
STH260N6F6-2 PDF预览

STH260N6F6-2

更新时间： 2024-11-19 12:25:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
14页 730K
描述
N-channel 60 V, 1.7 mΩ typ., 180 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in H²PAK-2 package

阅读下载

中文翻译

获取价格

STH260N6F6-2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.68配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：180 A
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.002 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STH260N6F6-2 数据手册

 浏览型号STH260N6F6-2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STH260N6F6-2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STH260N6F6-2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STH260N6F6-2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STH260N6F6-2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STH260N6F6-2的Datasheet PDF文件第7页 
STH260N6F6-2  
N-channel 60 V, 1.7 mΩ typ., 180 A STripFET™ VI DeepGATE™  
Power MOSFET in H²PAK-2 package  
Datasheet — production data  
Features  
Order code  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
TAB  
STH260N6F6-2  
60 V  
< 2.4 mΩ  
180 A  
■ Low gate charge  
2
1
■ Very low on-resistance  
3
■ High avalanche ruggedness  
H2PAK-2  
Applications  
■ Switching applications  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This device is an N-channel Power MOSFET  
developed using the 6th generation of STripFET™  
DeepGATE™ technology, with a new gate  
structure. The resulting Power MOSFET exhibits  
the lowest RDS(on) in all packages.  
$ ꢆ4!"ꢇ  
' ꢆꢁꢇ  
3 ꢆꢅꢈ ꢉꢇ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢅ  
Table 1.  
Order code  
STH260N6F6-2  
Device summary  
Marking  
Package  
H2PAK-2  
Packaging  
Tape and reel  
260N6F6  
July 2012  
Doc ID 018784 Rev 4  
1/14  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
14  
1234567...14

中文翻译

下载PDF

与STH260N6F6-2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STH26N25 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-218
STH26N25FI ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR
STH270N4F3-2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET
STH270N4F3-6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET
STH270N8F7-2 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-
STH270N8F7-6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-
STH275N8F7-2AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		AEC-Q101 qualified
STH275N8F7-6AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		AEC-Q101 qualified
STH290N4F6-2AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		High avalanche ruggedness
STH290N4F6-6AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		High avalanche ruggedness

与STH260N6F6-2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证