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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH26N25FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-218VAR |
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| STH270N4F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET |
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| STH270N4F3-6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 40 V, 1.4 mΩ typ., 180 A STripFET |
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| STH270N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK- |
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| STH270N8F7-6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK- |
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| STH275N8F7-2AG | STMICROELECTRONICS |
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AEC-Q101 qualified |
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| STH275N8F7-6AG | STMICROELECTRONICS |
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AEC-Q101 qualified |
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| STH290N4F6-2AG | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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| STH290N4F6-6AG | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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| STH2N120K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFE |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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