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STD64N4F6AG

更新时间： 2024-11-03 14:57:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
15页	434K
描述
汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

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STD64N4F6AG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	22 weeks
风险等级：	1.71	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	表面贴装：	YES
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

STD64N4F6AG 数据手册

STD64N4F6AG

Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mΩ typ., 54 A STripFET™ F6

Power MOSFET in a DPAK package

Datasheet - production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max.

I_D

P_TOT

STD64N4F6AG 40 V

8.2 mΩ

54 A 60 W

•

Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

•

Very low on-resistance

Very low gate charge

High avalanche ruggedness

Low gate drive power loss

Figure 1: Internal schematic diagram

Applications

•

Switching applications

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using the STripFET™ F6 technology

with a new trench gate structure. The resulting

Power MOSFET exhibits very low R_DS(on)in all

packages.

Table 1: Device summary

Order code

Marking

Package

Packing

STD64N4F6AG

64N4F6

DPAK

Tape and reel

June 2015

DocID027883 Rev 1

1/15

www.st.com

This is information on a product in full production.

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