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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.72 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 60 pF | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD6N10LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252 |
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| STD6N10T4 | STMICROELECTRONICS |
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6A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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| STD6N52K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 525 V, 1 Ω, 5 A, DPAK, TO-220FP Sup |
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| STD6N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh DM2功率MOSFET，D |
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| STD6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
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| STD6N62K3 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 620 V, 1.1 Ω, 5.5 A, IPAK, DPAK, TO |
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| STD6N65M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道650 V、1.2 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，DPA |
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| STD6N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，D |
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| STD6N90K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道900 V、0.91 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DP |
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| STD6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect |
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