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STD6NF10 PDF预览

STD6NF10

更新时间： 2024-01-11 04:28:18
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅PC
页数 文件大小 规格书
9页 268K
描述
N-CHANNEL 100V - 0.22 ohm - 6A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET

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STD6NF10 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.63
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：180139Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name：DPAK (TO-252)_2Samacsys Released Date：2015-07-12 18:13:02
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：200 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD6NF10 数据手册

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STD6NF10  
N-CHANNEL 100V - 0.22 Ω - 6A IPAK/DPAK  
LOW GATE CHARGE STripFET™ POWER MOSFET  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STD6NF10  
100 V  
<0.250 Ω  
6 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.22 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
3
2
1
1
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4")  
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
■
TO-251  
(Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize input capacitance and gate charge. It is  
therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended  
for any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 20  
6
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
4
A
D
C
I
•)  
Drain Current (pulsed)  
24  
A
DM(  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
30  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.2  
40  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
E
200  
AS  
T
stg  
-65 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤6A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
•) Pulse width limited by safe operating area.  
(
o
(2) Starting T = 25 C, I = 3A, V = 50V  
j
D
DD  
June 2001  
1/9  
.
1234567...9

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与STD6NF10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD6NF10_08 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low
STD6NF10-1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6NF10T4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low
STD6NK50Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.93 ohm - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD6NK50ZT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.93&#848;2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH&#8482; MOSFE
STD6NM60N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2
STD6NM60N-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2
STD70 SIRECTIFIER

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70 SIRECT

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70GK08 SIRECT

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules

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