5秒后页面跳转
STD6NM60N PDF预览

STD6NM60N

更新时间: 2024-02-10 06:33:58
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
17页 620K
描述
N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STD6NM60N 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.8雪崩能效等级(Eas):65 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.6 A最大漏极电流 (ID):4.6 A
最大漏源导通电阻:0.92 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):45 W最大脉冲漏极电流 (IDM):18.4 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

STD6NM60N 数据手册

 浏览型号STD6NM60N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STD6NM60N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STD6NM60N的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STD6NM60N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STD6NM60N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STD6NM60N的Datasheet PDF文件第7页 
STD6NM60N - STD6NM60N-1  
STF6NM60N - STP6NM60N  
N-channel 600V - 0.85- 4.6A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK  
Second generation MDmesh™ Power MOSFET  
Features  
VDSS  
(@Tjmax)  
Type  
RDS(on)  
ID  
3
3
STD6NM60N  
STD6NM60N-1  
STF6NM60N  
STP6NM60N  
650V  
650V  
650V  
650V  
<0.92Ω  
<0.92Ω  
<0.92Ω  
<0.92Ω  
4.6A  
4.6A  
4.6A (1)  
2
2
1
1
TO-220  
TO-220FP  
4.6A  
1. Limited only by maximum temperature allowed  
3
1
3
2
1
100% avalanche tested  
DPAK  
IPAK  
Low input capacitance and gate charge  
Low gate input resistance  
Description  
Internal schematic diagram  
This device is realized with the second generation  
of MDmesh™ technology. This revolutionary  
Power MOSFET associates a new vertical  
structure to the company’s strip layout to yield one  
of the world’s lowest on-resistance and gate  
charge. It is therefore suitable for the most  
demanding high efficiency converters  
Application  
Switching applications  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STD6NM60N-1  
STD6NM60N  
STF6NM60N  
STP6NM60N  
D6NM60N  
D6NM60N  
F6NM60N  
P6NM60N  
IPAK  
DPAK  
Tube  
Tape & reel  
Tube  
TO-220FP  
TO-220  
Tube  
June 2007  
Rev 2  
1/17  
www.st.com  
17  

STD6NM60N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD18N55M5 STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V P
STD15NF10T4 STMICROELECTRONICS

类似代替

N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET
STD35NF06LT4 STMICROELECTRONICS

类似代替

N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 35A DPAK STripFET⑩

与STD6NM60N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD6NM60N-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2
STD70 SIRECTIFIER

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70 SIRECT

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70GK08 SIRECT

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70GK08 SIRECTIFIER

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70GK08B SIRECTIFIER

获取价格

Thyristor-Diode Modules
STD70GK12 SIRECTIFIER

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70GK12 SIRECT

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70GK12B SIRECTIFIER

获取价格

Thyristor-Diode Modules
STD70GK14 SIRECT

获取价格

Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules