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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A | 最大漏极电流 (ID)： | 70 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD70N10F4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 0.015 Ω, 60 A, STripFET⢠|
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| STD70N2LH5 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 25 V, 0.006 Ω, 48 A - DPAK - IPAK S |
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| STD70NH02L | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD70NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD70NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD70NS04ZL | STMICROELECTRONICS |
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N沟道33 V钳制9.5 mOhm典型值、70 A全保护SAFeFET功率MOSFET，D |
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| STD724 | STMICROELECTRONICS |
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NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| STD724T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| STD75N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220 |
|
| STD770BLK | VCC |
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LED Mounting Hardware, PLASTIC PACKAGE |
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