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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 185 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 70 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 70 A | 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 280 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD790A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium current, high performance, low voltage PNP transistor |
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| STD790A_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium current, high performance, low voltage PNP transistor |
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| STD790AT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium Current, High Performance, Low Voltage PNP Transistor |
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| STD7ANM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET |
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| STD7LN80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh K5功率MOSFET，DP |
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| STD7N52DK3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 525 V, 0.95 ohm, 6 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 |
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| STD7N52DK3TRL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
6.2A, 620V, 1.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD7N52K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 525 V, 0.84 OHM, 6.2 A, D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 SuperMESH3 Power MOSFET |
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| STD7N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.78 Ohm典型值、6 A MDmesh DM2功率MOSFET，D |
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| STD7N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.86 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，DP |
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