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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 24 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A | 最大漏极电流 (ID)： | 60 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD70NH02L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD70NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD70NS04ZL | STMICROELECTRONICS |
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N沟道33 V钳制9.5 mOhm典型值、70 A全保护SAFeFET功率MOSFET，D |
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| STD724 | STMICROELECTRONICS |
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NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| STD724T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| STD75N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220 |
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| STD770BLK | VCC |
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LED Mounting Hardware, PLASTIC PACKAGE |
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| STD78N75F4 | STMICROELECTRONICS |
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70A, 75V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
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| STD790A | STMICROELECTRONICS |
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Medium current, high performance, low voltage PNP transistor |
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| STD790A_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium current, high performance, low voltage PNP transistor |
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