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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级（Eas）： | 360 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 24 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD70NH02LT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 24V - 0.0062 Ohm - 60A IPAK/DPAK STripFET II Power MOSFET |
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| STD70NS04ZL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道33 V钳制9.5 mOhm典型值、70 A全保护SAFeFET功率MOSFET，D |
|
| STD724 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
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| STD724T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
NPN MEDIUM POWER TRANSISTORS |
|
| STD75N3LLH6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.0042 Ω, 75 A, DPAK, TO-220 |
|
| STD770BLK | VCC |
获取价格 |
LED Mounting Hardware, PLASTIC PACKAGE |
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| STD78N75F4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
70A, 75V, 0.011ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
|
| STD790A | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium current, high performance, low voltage PNP transistor |
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| STD790A_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium current, high performance, low voltage PNP transistor |
|
| STD790AT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Medium Current, High Performance, Low Voltage PNP Transistor |
|
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