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STD7NB20

更新时间： 2024-09-26 22:23:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 489K
描述
N-CHANNEL 200V - 0.3ohm - 7A DPAK/IPAK PowerMESH⑩ MOSFET

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STD7NB20 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：100 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STD7NB20 数据手册

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STD7NB20  
STD7NB20-1  
N-CHANNEL 200V - 0.3Ω - 7A DPAK/IPAK  
PowerMESH™ MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STD7NB20  
STD7NB20-1  
200 V  
200 V  
< 0.40 Ω  
< 0.40 Ω  
7 A  
7 A  
3
■
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.3 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
ADD SUFFIX “T4” FOR ORDERING IN TAPE &  
REEL  
3
2
1
1
DPAK  
TO-252  
IPAK  
TO-251  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
nation structure, gives the lowest R  
per area,  
DS(on)  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
APPLICATIONS  
■
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,  
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT  
■
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
200  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
200  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
± 30  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
7
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
5
28  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
55  
W
C
Derating Factor  
0.44  
W/°C  
V/ns  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
5.5  
T
stg  
– 65 to 150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
150  
°C  
j
(1) I ≤ 7A, di/dt≤200 A/µs, V ≤ V  
, Tj≤T  
(BR)DSS jMAX  
SD  
DD  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
July 2002  
1/10  
1234567...10

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与STD7NB20相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD7NB20-1 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 200V - 0.3ohm - 7A DPAK/IPAK PowerM
STD7NB20T4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-252AA
STD7NK30Z STMICROELECTRONICS

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 		N-channel, 300 V, 0.80 Ω, 5 A TO-220, TO-220F
STD7NK40 STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/D
STD7NK40Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/D
STD7NK40Z-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A TO-220/TO-220FP/D
STD7NK40ZT4 DIODES

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 		Non-Dimmable 120VAC Evaluation Board
STD7NM50N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220
STD7NM50N-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 500V - 0.70ヘ - 5A - TO-220 - TO-220
STD7NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 5 A, 0.84 ohm, DPAK, TO-220FP, TO-220, IPAK second generation MDmesh Powe

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