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STD6NF10-1 PDF预览

STD6NF10-1

更新时间： 2024-02-10 13:43:44
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 96K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA

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STD6NF10-1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-251AA
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：LOW THRESHOLD
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-251AAJESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD6NF10-1 数据手册

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STD6NF10  
- 6A IPAK/DPAK  
N-CHANNEL 100V - 0.22  
Ω
LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET  
V
R
DS(on)  
I
D
TYPE  
DSS  
STD6NF10  
100 V  
<0.250 Ω  
6 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.22 Ω  
DS  
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
LOW THRESHOLD DRIVE  
3
3
2
1
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX “T4”)  
1
IPAK  
DPAK  
TO-252  
(Suffix “T4”)  
■
TO-251  
(Suffix “-1”)  
DESCRIPTION  
This MOSFET series realized with STMicroelectronics  
unique STripFET process has specifically been designed  
to minimize input capacitance and gate charge. It is  
therefore suitable as primary switch in advanced high-  
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for  
Telecom and Computer applications. It is also intended  
for any applications with low gate drive requirements.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS  
■
UPS AND MOTOR CONTROL  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
100  
100  
± 20  
6
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
V
GS  
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
4
A
C
I
•)  
Drain Current (pulsed)  
24  
A
DM(  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
30  
W
tot  
C
Derating Factor  
0.2  
40  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
(2)  
E
200  
AS  
T
stg  
-65 to 175  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1) I ≤6A, di/dt ≤300A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
•) Pulse width limited by safe operating area.  
(
o
(2) Starting T = 25 C, I = 3A, V = 50V  
j
D
DD  
June 2001  
1/9  
.
1234567...9

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与STD6NF10-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD6NF10T4 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low
STD6NK50Z STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.93 ohm - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
STD6NK50ZT4 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-CHANNEL 500V - 0.93&#848;2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH&#8482; MOSFE
STD6NM60N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2
STD6NM60N-1 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2
STD70 SIRECTIFIER

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
STD70 SIRECT

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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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 		Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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 		Thyristor-Diode Modules

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