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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 20 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 30 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 35 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 75 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD6N10-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251 |
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| STD6N10L1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA |
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| STD6N10L-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251 |
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| STD6N10LT4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252 |
|
| STD6N10T4 | STMICROELECTRONICS |
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6A, 100V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, DPAK-3 |
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| STD6N52K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 525 V, 1 Ω, 5 A, DPAK, TO-220FP Sup |
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| STD6N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、0.95 Ohm典型值、5 A MDmesh DM2功率MOSFET，D |
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| STD6N60M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道600 V、1.06 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET， |
|
| STD6N62K3 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 620 V, 1.1 Ω, 5.5 A, IPAK, DPAK, TO |
|
| STD6N65M2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道650 V、1.2 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，DPA |
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