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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.66 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 320 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 55 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD6NC40-T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 400V - 0.75ohm - 5A - DPAK / IPAK P |
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| STD6NF10 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 100V - 0.22 ohm - 6A IPAK/DPAK LOW |
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| STD6NF10_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low |
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| STD6NF10-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA |
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| STD6NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low |
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| STD6NK50Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.93 ohm - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET |
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| STD6NK50ZT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFE |
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| STD6NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2 |
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| STD6NM60N-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.85ヘ - 4.6A - TO-220 - TO-2 |
|
| STD70 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules |
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