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STD6N10-1 PDF预览

STD6N10-1

更新时间： 2024-01-04 08:49:47
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其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 173K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251

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STD6N10-1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：20 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：30 pFJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：35 W最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大开启时间（吨）：75 ns
Base Number Matches：1

STD6N10-1 数据手册

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STD6N10  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.45 Ω  
ID  
STD6N10  
100 V  
6 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.35 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
1
1
CHARACTERIZATION  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
100  
V
V
VDG R  
VGS  
100  
± 20  
V
ID  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
6
A
ID  
4
24  
A
IDM(•)  
Ptot  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
35  
W
Derating Factor  
0.23  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
December 1996  
1234567...10

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与STD6N10-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD6N10L1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-251AA
STD6N10L-1 STMICROELECTRONICS

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 		Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251
STD6N10LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
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