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STD65N55LF3TRL

更新时间： 2024-01-01 13:09:57

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	625K
描述
80A, 55V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3

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STD65N55LF3TRL 技术参数

生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD65N55LF3TRL 数据手册

STD65N55LF3

N-channel 55 V, 6.5 mΩ, 80 A DPAK

STripFET™ III Power MOSFET

Preliminary data

Features

Type

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STD65N55LF3 55 V

< 8.5 mΩ 80 A 110 W

■ Low threshold drive

■ 100% avalanche tested

DPAK

Application

■ Switching applications

– Automotive

Description

This STripFET™ III Power MOSFET technology is

among the latest improvements, which have been

especially tailored to minimize on-state resistance

providing superior switching performance.

Figure 1.

Internal schematic diagram

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Table 1.

Order code

STD65N55LF3

Device summary

Marking

Package

DPAK

Packaging

Tape and reel

65N55LF3

October 2009

Doc ID 16371 Rev 1

1/11

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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与STD65N55LF3TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD6N10L-1	STMICROELECTRONICS	获取价格	Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251
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