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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.017 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD616A | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
|
| STD616A_03 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
|
| STD616A-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR |
|
| STD616AT4 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 1.6A I(C) | TO-252AA |
|
| STD64N4F6AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET |
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| STD650S | SAMHOP |
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Transistor |
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| STD6528EF | AUK |
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NPN Silicon Transistor |
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| STD6528EF | KODENSHI |
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NPN Silicon Transistor |
|
| STD6528S | AUK |
获取价格 |
NPN Silicon Transistor |
|
| STD65N160M9 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET in a DPAK package |
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