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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.39 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9922DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9925 | NXP |
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N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI9925DY | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9925DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI9925DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9925DY/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI |
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| SI9925DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9925DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9925DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI9926ADY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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