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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9922DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9925 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI9925DY | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9925DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI9925DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9925DY/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 5000 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTI |
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| SI9925DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9925DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI9925DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI9926ADY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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