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SI9913DY-E3

更新时间： 2024-09-10 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 159K
描述
MOSFET Driver, PDSO8

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SI9913DY-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71JESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
子类别：MOSFET Drivers标称供电电压：5 V
表面贴装：YES温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

SI9913DY-E3 数据手册

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End of Life. Last Available Purchase Date is 31-Dec-2014  
Si9913  
Vishay Siliconix  
Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies  
FEATURES  
APPLICATIONS  
D 4.5- to 5.5-V Operation  
D Multiphase Desktop CPU Supplies  
D Undervoltage Lockout  
D Single-Supply Synchronous Buck Converters  
D Mobile Computing CPU Core Power Converters  
D Standard-Synchronous Converters  
D 250-kHz to 1-MHz Switching Frequency  
D Synchronous Switch Enable  
D One Input PWM Signal Generates Both Drive  
D Bootstrapped High-Side Drive  
D Operates from 4.5- to 30-V Supply  
D TTL/CMOS Compatible Input Levels  
D 1-A Peak Drive Current  
D High Frequency Switching Converters  
D Break-Before-Make Circuit  
DESCRIPTION  
The Si9913 is a dual MOSFET high-speed driver with  
break-before-make. It is designed to operate in high frequency  
dc-dc switchmode power supplies. The high-side driver is  
bootstrapped to handle the high voltage slew rate associated  
with “floating” high-side gate drivers. Each driver is capable  
of switching a 3000-pF load with 60-ns propogation delay and  
25-ns transition time. The Si9913 comes with internal  
break-before-make feature to prevent shoot-through current in  
the external MOSFETs. A synschronous enable pin is used to  
enable the low-side driver. When disabled, the OUTL is logic  
low.  
The Si9913 is available in both standard and lead (Pb)-free 8-pin  
SOIC packages for operation over the industrial operation range  
(−40_C to 85_C).  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM AND TRUTH TABLE  
BOOT  
V
DD  
D1  
V
DC  
Q
1
C
BOOT  
OUT  
H
TRUTH TABLE  
Level Shift  
VS SYN IN VOUTL VOUTH  
OUTPUT  
Undervoltage  
V
S
L
L
L
L
L
H
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
H
L
V
DD  
L
H
H
L
L
H
L
H
L
OUT  
GND  
L
IN  
SYN  
Q
H
H
H
H
2
L
H
L
H
L
H
H
H
H
+
V
−
BBM  
Document Number: 71343  
S-40133—Rev. B, 16-Feb-04  
www.vishay.com  
1
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