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SI4911DY-T1

更新时间： 2024-09-18 20:58:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 101K
描述
TRANSISTOR 6300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4911DY-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.91配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.3 A
最大漏极电流 (ID)：6.3 A最大漏源导通电阻：0.019 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4911DY-T1 数据手册

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Si4911DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 8.4  
- 7.6  
- 6.8  
Pb-free  
•
Advanced High Cell Density Process  
0.019 at VGS = - 4.5 V  
0.023 at VGS = - 2.5 V  
0.029 at VGS = - 1.8 V  
Available  
- 20  
RoHS*  
APPLICATIONS  
Load Switching  
COMPLIANT  
•
S
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
G
2
1
G
Top View  
D
1
D
2
Ordering Information: Si4911DY-T1  
Si4911DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 sec  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 8.4  
- 6.7  
- 6.3  
- 5.1  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 30  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 1.7  
2.0  
- 0.9  
1.1  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.3  
0.7  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
46  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
80  
110  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
24  
32  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72097  
S-61005-Rev. B, 12-Jun-06  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4913DY VISHAY

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 		Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4913DY-T1-E3 VISHAY

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