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SI4913DY

更新时间： 2024-11-06 06:11:35
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 192K
描述
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI4913DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.1 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI4913DY 数据手册

 浏览型号SI4913DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4913DY的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE Device Model Si4913DY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
CHARACTERISTICS  
• P-Channel Vertical DMOS  
• Macro Model (Subcircuit Model)  
• Level 3 MOS  
• Apply for both Linear and Switching Application  
• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range  
• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery  
Characteristics  
DESCRIPTION  
The attached spice model describes the typical electrical  
characteristics of the p-channel vertical DMOS. The subcircuit  
model is extracted and optimized over the −55 to 125°C  
temperature ranges under the pulsed 0-V to 5-V gate drive. The  
saturated output impedance is best fit at the gate bias near the  
threshold voltage.  
A novel gate-to-drain feedback capacitance network is used to model  
the gate charge characteristics while avoiding convergence difficulties  
of the switched Cgd model. All model parameter values are optimized  
to provide a best fit to the measured electrical data and are not  
intended as an exact physical interpretation of the device.  
SUBCIRCUIT MODEL SCHEMATIC  
This document is intended as a SPICE modeling guideline and does not constitute a commercial product data sheet. Designers should refer to the appropriate  
data sheet of the same number for guaranteed specification limits.  
www.vishay.com  
Document Number: 70107  
S-52287Rev. B, 31-Oct-05  
1
123

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SI4913DY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9934BDY-T1-GE3 VISHAY

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4913DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT,
SI4913DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7100 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND
SI4914BDY VISHAY

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