5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SI4916DY-T1-E3
SI4916DY-T1-E3 PDF预览

SI4916DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 261K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4916DY-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.77Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：11.2 mJ配置：SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A
最大漏极电流 (ID)：7.8 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4916DY-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI4916DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4916DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4916DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4916DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4916DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4916DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4916DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
10  
0.018 at VGS = 10 V  
0.023 at VGS = 4.5 V  
0.018 at VGS = 10 V  
0.022 at VGS = 4.5 V  
•
•
LITTLE FOOT® Plus Integrated Schottky  
100 % Rg Tested  
Channel-1  
Channel-2  
6.6  
8.5  
30  
10.5  
9.3  
8.9  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Converters  
- Notebook  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
D
1
VDS (V)  
IF (A)  
30  
0.50 V at 1.0 A  
2.0  
SO-8  
G
1
D
1
D
1
G
2
S
2
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
N-Channel 1  
MOSFET  
S /D  
1
S /D  
2
2
2
1
2
S /D  
1
S /D  
1
Schottky Diode  
G
2
Top View  
Si4916DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel 2  
MOSFET  
Ordering Information:  
S
2
Si4916DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
TC = 25 °C  
10  
8
10.5  
8.3  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
7.5a, b, c  
7.8a, b, c  
T
6a ,b, c  
6.3a, b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Current  
40  
40  
T
C = 25 °C  
3
3.2  
1.7a, b, c  
40  
1.8a, b, c  
40  
TA = 25 °C  
ISM  
IAS  
PulseD Source-Drain Current  
Single-Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
15  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
11.2  
mJ  
W
3.3  
2.1  
3.5  
2.2  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
1.9a, b, c  
1.2a, b, c  
2.0a, b, c  
1.3a, b, c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
Document Number: 74331  
S09-0540-Rev. B, 06-Apr-09  
www.vishay.com  
1
1234567...13

中文翻译

下载PDF

与SI4916DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4916DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4920DY FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
SI4920DY VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4920DYF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4920DYL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4920DYL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI4920DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4920DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY VISHAY

获取价格

 		Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4921DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor

与SI4916DY-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证