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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4914DY
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SI4914DY

更新时间： 2024-11-06 06:11:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 126K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4914DY 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.023 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4914DY 数据手册

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Si4914DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
LITTLE FOOT® Plus Integrated Schottky  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
7.0  
•
100 % Rg Tested  
0.023 at VGS = 10 V  
0.032 at VGS = 4.5 V  
0.020 at VGS = 10 V  
0.027 at VGS = 4.5 V  
Channel-1  
Channel-2  
RoHS  
5.6  
APPLICATIONS  
COMPLIANT  
30  
7.4  
•
Logic DC/DC  
6.4  
- Notebook PC  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)  
2.0  
D
1
30  
0.40 V at 1.0 A  
SO-8  
G
1
D
1
D
1
G
2
S
2
G
1
N-Channel 1  
MOSFET  
1
2
3
4
8
7
6
5
S /D  
1
2
S /D  
1
2
2
2
S /D  
1
Schottky Diode  
S /D  
1
G
2
N-Channel 2  
MOSFET  
Top View  
Ordering Information:  
S
2
Si4914DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Channel-1  
Channel-2  
Parameter  
Symbol  
Unit  
10 sec  
Steady State  
10 sec  
Steady State  
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
7.0  
5.6  
5.5  
4.3  
7.4  
6
5.7  
4.5  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
40  
40  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Pulse Avalanche Current  
1.7  
1.0  
1.8  
0.95  
15  
IAS  
EAS  
13  
L = 0.1 mH  
Avalanche Energy  
8.45  
1.1  
11  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.9  
1.2  
2.0  
1.3  
1.16  
0.74  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
0.71  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Max  
Channel-2  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Typ  
52  
Typ  
47  
Max  
60  
t ≤ 10 sec  
65  
112  
38  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
RthJF  
Steady State  
Steady State  
90  
85  
107  
35  
°C/W  
30  
28  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
Document Number: 72938  
S-61959-Rev. C, 09-Oct-06  
www.vishay.com  
1
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与SI4914DY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4914DY-T1-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4916DY VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
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