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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> SI4914BDY-T1-E3
SI4914BDY-T1-E3 PDF预览

SI4914BDY-T1-E3

更新时间： 2024-11-06 09:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体肖特基二极管小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 276K
描述
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4914BDY-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.89Is Samacsys：N
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.4 A最大漏极电流 (ID)：8.4 A
最大漏源导通电阻：0.021 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4914BDY-T1-E3 数据手册

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Si4914BDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)a  
8.4  
0.021 at VGS = 10 V  
0.027 at VGS = 4.5 V  
0.020 at VGS = 10 V  
0.025 at VGS = 4.5 V  
•
•
LITTLE FOOT® Plus Integrated Schottky  
Channel-1  
Channel-2  
6.7  
7.4  
100 % Rg and UIS Tested  
30  
8d  
8d  
•
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
7.0  
APPLICATIONS  
•
Notebook PC  
- System Power dc-to-dc  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
D
1
VDS (V)  
IF (A)  
Diode Forward Voltage  
30  
0.50 V at 1.0 A  
2.0  
SO-8  
G
1
D
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
N-Channel 1  
MOSFET  
D
G
S
S /D  
1
S /D  
2
2
2
1
2
S /D  
1
S /D  
1
Schottky Diode  
G
2
Top View  
Ordering Information:Si4914BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4914BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel 2  
MOSFET  
S
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Channel-1  
Channel-2  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
V
VGS  
8d  
TC = 25 °C  
8.4  
6.7  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
7.4  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a, b  
ID  
6.7b, c  
7.4b, c  
T
5.3b, c  
5.7b, c  
TA = 70 °C  
IDM  
IS  
A
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source-Drain Diode Current  
40  
40  
T
C = 25 °C  
2.4  
2.8  
1.0b, c  
40  
1.1b, c  
40  
TA = 25 °C  
ISM  
IAS  
PulseD Source-Drain Current  
Single-Pulse Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
15  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
EAS  
11.2  
mJ  
W
2.7  
1.7  
3.1  
2.0  
T
C = 70 °C  
A = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa, b  
PD  
1.7b, c  
1.1b, c  
2.0b, c  
1.2b, c  
T
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
Notes:  
a. Based on TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. Package limited.  
Document Number: 69654  
S09-2109-Rev. E, 12-Oct-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4914BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4914DY VISHAY

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