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NTJD2152PT4G

更新时间： 2024-09-13 03:27:35
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 57K
描述
Trench Small Signal MOSFET

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NTJD2152PT4G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.1 A最大漏极电流 (ID)：0.775 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：40 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.55 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTJD2152PT4G 数据手册

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NTJD2152P  
Trench Small Signal  
MOSFET  
8 V, Dual P−Channel, SC−88  
ESD Protection  
http://onsemi.com  
Features  
• Leading –8 V Trench for Low R  
• ESD Protected Gate  
• Small Footprint (2 x 2 mm)  
• Same Package as SC−70−6  
Performance  
DS(ON)  
V
R
TYP  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.22 W @ −4.5 V  
0.32 W @ −2.5 V  
−8 V  
−0.775 A  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
0.51 W @ −1.8 V  
Pb−Free Lead Finish  
SOT−363  
Applications  
SC−88 (6 LEADS)  
• Load Power switching  
• DC−DC Conversion  
• Li−Ion Battery Charging Circuits  
• Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs  
S
1
6
5
4
D
1
1
G
2
3
G
2
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−8.0  
Unit  
V
V
DSS  
D
S
2
2
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
±8.0  
V
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25 °C  
I
−0.775  
−0.558  
0.27  
A
A
D
Top View  
State  
T = 85 °C  
A
(Based on R  
)
q
JA  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25 °C  
P
W
A
A
D
6
)
State  
q
JA  
T = 85 °C  
A
0.14  
1
TAD  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25 °C  
I
D
−1.1  
A
SC−88 (SOT−363)  
CASE 419B  
Style 26  
State  
T = 85 °C  
A
−0.8  
(Based on R  
)
q
JL  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25 °C  
0.55  
W
TA  
D
= Device Code  
= Date Code  
A
)
State  
q
JL  
P
D
T = 85 °C  
A
0.29  
Pulsed Drain Current  
t ≤10 ms  
I
±1.2  
A
DM  
PIN ASSIGNMENT  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
1
6
°C  
J
T
STG  
Source−1  
Gate−1  
Drain−1  
Gate−2  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
S
−0.775  
260  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
Drain−2  
Source−2  
Top View  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Parameter  
Symbol Typ  
Max Unit  
460 °C/W  
226  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Lead (Drain) – Steady State  
R
400  
194  
q
JA  
R
q
JL  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 oz Cu area = 0.9523 in sq.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 2  
NTJD2152/D  
123456

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NTJD2152PT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJD2152PT4 ONSEMI

完全替代

 Trench Small Signal MOSFET
NTJD2152PT2G ONSEMI

完全替代

 Trench Small Signal MOSFET
NTJD2152PT1 ONSEMI

完全替代

 Trench Small Signal MOSFET

与NTJD2152PT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTJD3158C ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, +0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected
NTJD3158CT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, +0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected
NTJD3158CT2G ONSEMI

获取价格

 		小信号 MOSFET，20V，630mA，375 mΩ，双互补 SC−88/SC70−6/
NTJD3158CT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 20 V, +0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected
NTJD4001N ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTJD4001NT1 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTJD4001NT1G ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET
NTJD4001NT2G ROCHESTER

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 		250mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 419B-02, SC-88
NTJD4001NT2G ONSEMI

获取价格

 		Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA
NTJD4105C ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC−

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