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NTJD4158CT2G

更新时间： 2024-11-02 01:16:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 91K
描述
Small Signal MOSFET

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NTJD4158CT2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.25 A最大漏源导通电阻：2.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：12 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.27 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTJD4158CT2G 数据手册

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NTJD4158C, NVJD4158C  
Small Signal MOSFET  
30 V/−20 V, +0.25/−0.88 A,  
Complementary, SC−88  
Features  
• Leading 20 V Trench for Low R  
• ESD Protected Gate  
Performance  
DS(on)  
www.onsemi.com  
• SC−88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
1.0 W @ 4.5 V  
1.5 W @ 2.5 V  
N−Ch  
30 V  
0.25 A  
215 mW @ −4.5 V  
345 mW @ −2.5 V  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
P−Ch  
−20 V  
−0.88 A  
Compliant  
Applications  
• DC−DC Conversion  
SC−88 (SOT−363)  
(6−Leads)  
• Load/Power Management  
• Load Switch  
S
G
D
1
2
3
6
5
4
D
1
1
1
2
• Cell Phones, MP3s, Digital Cameras, PDAs  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
G
S
2
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
V
N−Ch  
P−Ch  
N−Ch  
P−Ch  
30  
−20  
20  
DSS  
2
Gate−to−Source Voltage  
V
V
A
GS  
12  
(Top View)  
N−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
I
D
T = 25°C  
A
0.25  
Steady  
State  
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
T = 85°C  
A
0.18  
−0.88  
−0.63  
0.27  
D1 G2 S2  
6
P−Channel  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25°C  
A
Steady  
State  
T = 85°C  
A
1
XXX MG  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
W
A
G
SC−88 (SOT−363)  
CASE 419B  
T = 25°C  
A
1
STYLE 26  
Pulsed Drain Cur-  
rent  
I
DM  
N−Ch  
P−Ch  
0.5  
S1 G1 D2  
tp = 10 ms  
−3.0  
XXX  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
stg  
G
Source Current (Body Diode)  
I
S
A
N−Ch  
P−Ch  
0.25  
−0.48  
260  
(Note: Microdot may be in either location)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
Symbol  
Max  
Unit  
Junction−to−Ambient – Steady State (Note 1)  
R
460  
°C/W  
q
JA  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
Febuary, 2015 − Rev. 5  
NTJD4158C/D  
 
1234567

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NTJD4158CT2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJD4158CT1G ONSEMI

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 		100mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 419B-02, SC-88, 3 PIN

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