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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTJS3157NT2
NTJS3157NT2 PDF预览

NTJS3157NT2

更新时间： 2024-11-01 06:00:39
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 134K
描述
Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88

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NTJS3157NT2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：2 X 2 MM, CASE 419B-02, SC-88, SC-70-6, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.06 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTJS3157NT2 数据手册

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NTJS3157N  
Trench Power MOSFET  
20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88  
Features  
• Leading Trench Technology for Low R  
Extending Battery Life  
• Fast Switching for Increased Circuit Efficiency  
DS(ON)  
http://onsemi.com  
• SC−88 Small Outline (2 x 2 mm) for Maximum Circuit Board  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Utilization, Same as SC−70−6  
45 mW @ 4.5 V  
55 mW @ 2.5 V  
70 mW @ 1.8 V  
• Pb−Free Packages are Available  
4.0 A  
20 V  
Applications  
• DC−DC Conversion  
SC−88 (SOT−363)  
• Low Side Load Switch  
• Cell Phones, Computing, Digital Cameras, MP3s and PDAs  
D
D
G
1
6
5
4
D
D
S
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol Value  
Unit  
V
2
3
V
DSS  
20  
8.0  
3.2  
2.3  
4.0  
1.0  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
T = 25 °C  
I
D
A
A
Steady  
State  
T = 85 °C  
A
Top View  
t ≤ 5 s T = 25 °C  
A
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
D
W
T = 25 °C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
10  
A
DM  
D
D
S
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
150  
°C  
J
6
T
1
T92 M G  
Source Current (Body Diode)  
I
1.6  
A
S
SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 28  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
1
D
D
G
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
T92  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Parameter  
Symbol  
Max  
125  
80  
Unit  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s  
Junction−to−Lead – Steady State  
R
°C/W  
q
JA  
R
(Note: Microdot may be in either location)  
q
JA  
R
45  
q
JL  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
February, 2006 − Rev. 2  
NTJS3157N/D  
123456

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NTJS3157NT2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJS3157NT4G ONSEMI

完全替代

 Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT4 ONSEMI

完全替代

 Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
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 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
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 		Trench Power MOSFET −20 V, −4.2 A, Single P−Channel, SC−88
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