5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> NTK3139PT5G
NTK3139PT5G PDF预览

NTK3139PT5G

更新时间： 2024-11-06 03:15:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 60K
描述
Power MOSFET −20 V, −780 mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT−723

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTK3139PT5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.91
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：4167774Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：SOT-723 CASE 631AASamacsys Released Date：2017-03-31 09:58:44
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.78 A
最大漏极电流 (ID)：0.66 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTK3139PT5G 数据手册

 浏览型号NTK3139PT5G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTK3139PT5G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTK3139PT5G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTK3139PT5G的Datasheet PDF文件第5页 
NTK3139P  
Power MOSFET  
−20 V, −780 mA, Single P−Channel with  
ESD Protection, SOT−723  
Features  
http://onsemi.com  
• P−channel Switch with Low R  
DS(on)  
• 44% Smaller Footprint and 38% Thinner than SC−89  
V
R
TYP  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• Low Threshold Levels Allowing 1.5 V R  
• Operated at Low Logic Level Gate Drive  
• These are Pb−Free Devices  
Rating  
0.38 W @ −4.5 V  
0.52 W @ −2.5 V  
0.70 W @ −1.8 V  
0.95 W @ −1.5 V  
−780 mA  
−660 mA  
−100 mA  
−100 mA  
DS(on)  
−20 V  
Applications  
• Load/Power Switching  
• Interfacing, Logic Switching  
• Battery Management for Ultra Small Portable Electronics  
SOT−723 (3−LEAD)  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Gate−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
Unit  
V
V
DSS  
V
6
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
I
−780  
−570  
−870  
450  
mA  
A
D
1
2
T = 85°C  
A
t v 5 s  
T = 25°C  
A
Top View  
1 − Gate  
2 − Source  
3 − Drain  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
mW  
mA  
D
t v 5 s  
550  
−660  
−480  
310  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
I
D
MARKING DIAGRAM  
T = 85°C  
A
KD M  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
mW  
A
D
SOT−723  
1
CASE 631AA  
STYLE 5  
Pulsed Drain Cur-  
rent  
t = 10 ms  
p
I
−1.2  
DM  
KD = Specific Device Code  
M
= Date Code  
Operating Junction and Storage Tempera-  
ture  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
°C  
J
STG  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
L
ORDERING INFORMATION  
†
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[1 oz] including traces)  
Device  
Package  
Shipping  
NTK3139PT1G  
NTK3139PT5G  
SOT−723* 4000 / Tape & Reel  
SOT−723* 8000 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
2. Surface mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size  
*These packages are inherently Pb−Free.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
December, 2006 − Rev. 0  
NTK3139P/D  
 
12345

中文翻译

下载PDF

NTK3139PT5G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTK3139PT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET −20 V, −780 mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT&#

与NTK3139PT5G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTK3139PT5H ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
NTK3142P ONSEMI

获取价格

 		High Efficiency DC-DC Converters
NTK3142PT1G ONSEMI

获取价格

 		Small Signal MOSFET −20 V, −280 mA, P−C
NTK3142PT1G ROCHESTER

获取价格

 		215mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 631AA-01, 3 PIN
NTK3142PT5G ROCHESTER

获取价格

 		215mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, CASE 631AA-01, 3 PIN
NTK3142PT5G ONSEMI

获取价格

 		小信号 MOSFET，20V，280mA，3.4Ω，单 P 沟道，SOT-723，带 ES
NTK4401NT1G ONSEMI

获取价格

 		20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 631AA-01, 3 PIN
NTK-A TOKEN

获取价格

 		德键电子(NTK)网络高压分流电阻器可接受客户定制。
NTK-B TOKEN

获取价格

 		High Voltage Network Dividers
NTL02-1N0TRF NICHICON

获取价格

 		Thin Film Chip Inductors

与NTK3139PT5G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证