5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G PDF预览

NTJD4401NT4G

更新时间： 2024-11-01 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTJD4401NT4G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.16Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.63 A最大漏极电流 (ID)：0.63 A
最大漏源导通电阻：0.375 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.55 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTJD4401NT4G 数据手册

 浏览型号NTJD4401NT4G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTJD4401NT4G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTJD4401NT4G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTJD4401NT4G的Datasheet PDF文件第5页 
NTJD4401N  
Small Signal MOSFET  
20 V, Dual N−Channel, SC−88  
ESD Protection  
Features  
http://onsemi.com  
• Small Footprint (2 x 2 mm)  
• Low Gate Charge N−Channel Device  
• ESD Protected Gate  
• Same Package as SC−70 (6 Leads)  
• Pb−Free Packages are Available  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.22 W @ 4.5 V  
0.32 W @ 2.5 V  
8 V  
0.775 A  
0.51 W @ 1.8 V  
Applications  
• Load Power switching  
SC−88 (SOT−363)  
• Li−Ion Battery Supplied Devices  
• Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs  
• DC−DC Conversion  
S
G
D
1
6
5
4
D
1
1
1
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
2
3
G
2
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
20  
V
V
A
S
2
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
12  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25°C  
I
D
0.63  
0.46  
0.27  
0.14  
0.91  
0.65  
0.55  
0.29  
1.2  
A
State  
Top View  
T = 85°C  
A
(Based on R  
)
q
JA  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25°C  
P
D
W
A
A
)
State  
q
JA  
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
D1 G2 S2  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25°C  
I
D
A
State  
T = 85°C  
A
(Based on R  
)
q
JL  
6
1
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25°C  
W
A
)
State  
q
JL  
P
D
TD M G  
SC−88/SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 28  
T = 85°C  
A
G
Pulsed Drain Current  
t ≤10 ms  
I
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
S1 G1 D2  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
0.63  
260  
A
TD  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol Typ  
Max Units  
460 °C/W  
226  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Lead (Drain) – Steady State  
R
400  
194  
q
JA  
R
q
JL  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 oz Cu area = 0.9523 in sq.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
November, 2006 − Rev. 3  
NTJD4401N/D  
12345

中文翻译

下载PDF

NTJD4401NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJD4401NT2G ONSEMI

类似代替

 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
NTJD4401NT1 ONSEMI

类似代替

 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
NTJD4401NT1G ONSEMI

功能相似

 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

与NTJD4401NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTJD4402NT1 ONSEMI

获取价格

 		100mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 419B-02, SC-88, 3 PIN
NTJD5121N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88
NTJD5121NT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88
NTJD5121NT2G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N−Channel w
NTJS3151P ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT1 ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT1G ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT2 ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT2G ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3157N ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88

与NTJD4401NT4G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证