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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTJD4401NT1G
NTJD4401NT1G PDF预览

NTJD4401NT1G

更新时间： 2024-11-01 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

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NTJD4401NT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.55
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：226827Samacsys Pin Count：6
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name：SC-88(SOT-363) CASE 419B-02Samacsys Released Date：2015-08-31 08:39:39
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.63 A
最大漏极电流 (ID)：0.63 A最大漏源导通电阻：0.375 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：5 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.55 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTJD4401NT1G 数据手册

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NTJD4401N  
Small Signal MOSFET  
20 V, Dual N−Channel, SC−88  
ESD Protection  
Features  
http://onsemi.com  
• Small Footprint (2 x 2 mm)  
• Low Gate Charge N−Channel Device  
• ESD Protected Gate  
• Same Package as SC−70 (6 Leads)  
• Pb−Free Packages are Available  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.22 W @ 4.5 V  
0.32 W @ 2.5 V  
8 V  
0.775 A  
0.51 W @ 1.8 V  
Applications  
• Load Power switching  
SC−88 (SOT−363)  
• Li−Ion Battery Supplied Devices  
• Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs  
• DC−DC Conversion  
S
G
D
1
6
5
4
D
1
1
1
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
2
3
G
2
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
20  
V
V
A
S
2
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
12  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25°C  
I
D
0.63  
0.46  
0.27  
0.14  
0.91  
0.65  
0.55  
0.29  
1.2  
A
State  
Top View  
T = 85°C  
A
(Based on R  
)
q
JA  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25°C  
P
D
W
A
A
)
State  
q
JA  
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
D1 G2 S2  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25°C  
I
D
A
State  
T = 85°C  
A
(Based on R  
)
q
JL  
6
1
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25°C  
W
A
)
State  
q
JL  
P
D
TD M G  
SC−88/SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 28  
T = 85°C  
A
G
Pulsed Drain Current  
t ≤10 ms  
I
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
S1 G1 D2  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
0.63  
260  
A
TD  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol Typ  
Max Units  
460 °C/W  
226  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Lead (Drain) – Steady State  
R
400  
194  
q
JA  
R
q
JL  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 oz Cu area = 0.9523 in sq.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
November, 2006 − Rev. 3  
NTJD4401N/D  
12345

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