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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTJD4401NT2
NTJD4401NT2 PDF预览

NTJD4401NT2

更新时间： 2024-11-01 03:45:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 66K
描述
Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection

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NTJD4401NT2 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.15Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.63 A最大漏极电流 (ID)：0.63 A
最大漏源导通电阻：0.375 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.55 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTJD4401NT2 数据手册

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NTJD4401N  
Small Signal MOSFET  
20 V, Dual N−Channel, SC−88  
ESD Protection  
Features  
http://onsemi.com  
• Small Footprint (2 x 2 mm)  
• Low Gate Charge N−Channel Device  
• ESD Protected Gate  
• Same Package as SC−70 (6 Leads)  
• Pb−Free Packages are Available  
V
R
Typ  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.22 W @ 4.5 V  
0.32 W @ 2.5 V  
8 V  
0.775 A  
0.51 W @ 1.8 V  
Applications  
• Load Power switching  
SC−88 (SOT−363)  
• Li−Ion Battery Supplied Devices  
• Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs  
• DC−DC Conversion  
S
G
D
1
6
5
4
D
1
1
1
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
2
3
G
2
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
20  
V
V
A
S
2
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
12  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25°C  
I
D
0.63  
0.46  
0.27  
0.14  
0.91  
0.65  
0.55  
0.29  
1.2  
A
State  
Top View  
T = 85°C  
A
(Based on R  
)
q
JA  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25°C  
P
D
W
A
A
)
State  
q
JA  
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
D1 G2 S2  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25°C  
I
D
A
State  
T = 85°C  
A
(Based on R  
)
q
JL  
6
1
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25°C  
W
A
)
State  
q
JL  
P
D
TD M G  
SC−88/SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 28  
T = 85°C  
A
G
Pulsed Drain Current  
t ≤10 ms  
I
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
150  
°C  
J
STG  
S1 G1 D2  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
0.63  
260  
A
TD  
M
G
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
S
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
(Note: Microdot may be in either location)  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
Parameter  
Symbol Typ  
Max Units  
460 °C/W  
226  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Lead (Drain) – Steady State  
R
400  
194  
q
JA  
R
q
JL  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 oz Cu area = 0.9523 in sq.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
November, 2006 − Rev. 3  
NTJD4401N/D  
12345

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NTJD4401NT2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJD4401NT4 ONSEMI

完全替代

 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
NTJD4401NT2G ONSEMI

完全替代

 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection
NTJD4401NT1G ONSEMI

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NTJD4401NT2G ONSEMI

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 		100mA, 30V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 419B-02, SC-88, 3 PIN
NTJD5121N ONSEMI

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 		Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88
NTJD5121NT1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88
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 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
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