5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTJD5121NT2G
NTJD5121NT2G PDF预览

NTJD5121NT2G

更新时间： 2024-11-01 12:04:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
5页 108K
描述
Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N−Channel with ESD

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTJD5121NT2G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：23 weeks
风险等级：1.48Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：284957
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：SC?88/SC70?6/SOT?363
Samacsys Released Date：2020-04-09 05:52:41Is Samacsys：N
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.295 A
最大漏极电流 (ID)：0.295 A最大漏源导通电阻：1.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTJD5121NT2G 数据手册

 浏览型号NTJD5121NT2G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTJD5121NT2G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NTJD5121NT2G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NTJD5121NT2G的Datasheet PDF文件第5页 
NTJD5121N  
Power MOSFET  
60 V, 295 mA, Dual N−Channel with ESD  
Protection, SC−88  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Low Gate Threshold  
• Low Input Capacitance  
• ESD Protected Gate  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
MAX  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
1.6 W @ 10 V  
2.5 W @ 4.5 V  
295 mA  
60 V  
Applications  
• Low Side Load Switch  
• DC−DC Converters (Buck and Boost Circuits)  
SC−88 (SOT−363)  
S
1
G
1
D
2
1
2
3
6
D
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
V
5
G
2
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady T = 25°C  
I
D
295  
212  
304  
219  
250  
mA  
A
4
S
2
State  
T = 85°C  
A
t ≤ 5 s T = 25°C  
A
Top View  
T = 85°C  
A
MARKING DIAGRAM &  
PIN ASSIGNMENT  
D1 G2 S2  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady T = 25°C  
P
D
mW  
A
State  
t ≤ 5 s  
266  
900  
6
1
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
p
I
mA  
DM  
TF M G  
SC−88/SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 26  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
STG  
G
150  
Source Current (Body Diode)  
I
S
210  
260  
mA  
1
S1 G1 D2  
= Device Code  
= Date Code  
= Pb−Free Package  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
TF  
M
G
Gate−Source ESD Rating (HBM)  
Gate−Source ESD Rating (MM)  
ESD  
ESD  
2000  
200  
V
V
HBM  
(Note: Microdot may be in either location)  
MM  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
NTJD5121NT1G  
SC−88  
(Pb−Free)  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
Parameter  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Ambient – t ≤ 5 s  
R
°C/W  
NTJD5121NT2G  
SC−88  
(Pb−Free)  
q
JA  
R
470  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
October, 2013 − Rev. 6  
NTJD5121N/D  
12345

中文翻译

下载PDF

NTJD5121NT2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJD5121NT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N-Channel with ESD Protection, SC-88

与NTJD5121NT2G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTJS3151P ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT1 ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT1G ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT2 ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3151PT2G ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P−Channel, ESD Protected SC−88
NTJS3157N ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT1 ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT1G ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT2 ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88
NTJS3157NT2G ONSEMI

获取价格

 		Trench Power MOSFET 20 V, 4.0 A, Single N−Channel, SC−88

与NTJD5121NT2G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证