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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | LEAD FREE, CASE 419B-02, SC-88, SC-70, 6 PIN | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.25 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 12 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTJD4105C | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4105CT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4105CT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4105CT2 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4105CT2G | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4105CT4 | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4105CT4G | ONSEMI |
获取价格 |
Small Signal MOSFET 20 V / −8.0 V, Complementary, +0.63 A / −0.775 A, SC− |
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| NTJD4152P | ONSEMI |
获取价格 |
Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 |
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| NTJD4152PT1 | ONSEMI |
获取价格 |
Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 |
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| NTJD4152PT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88 |
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