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NTJD2152PT1

更新时间： 2024-09-13 02:57:27
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 57K
描述
Trench Small Signal MOSFET

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NTJD2152PT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：2 X 2 MM, CASE 419B-02, SC-88, SC-70-6, 6 PIN
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：8 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.775 A最大漏极电流 (ID)：0.775 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：40 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.55 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTJD2152PT1 数据手册

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NTJD2152P  
Trench Small Signal  
MOSFET  
8 V, Dual P−Channel, SC−88  
ESD Protection  
http://onsemi.com  
Features  
• Leading –8 V Trench for Low R  
• ESD Protected Gate  
• Small Footprint (2 x 2 mm)  
• Same Package as SC−70−6  
Performance  
DS(ON)  
V
R
TYP  
I Max  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
0.22 W @ −4.5 V  
0.32 W @ −2.5 V  
−8 V  
−0.775 A  
• Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a  
0.51 W @ −1.8 V  
Pb−Free Lead Finish  
SOT−363  
Applications  
SC−88 (6 LEADS)  
• Load Power switching  
• DC−DC Conversion  
• Li−Ion Battery Charging Circuits  
• Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs  
S
1
6
5
4
D
1
1
G
2
3
G
2
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
−8.0  
Unit  
V
V
DSS  
D
S
2
2
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
±8.0  
V
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25 °C  
I
−0.775  
−0.558  
0.27  
A
A
D
Top View  
State  
T = 85 °C  
A
(Based on R  
)
q
JA  
MARKING DIAGRAM  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25 °C  
P
W
A
A
D
6
)
State  
q
JA  
T = 85 °C  
A
0.14  
1
TAD  
Continuous Drain  
Current  
Steady T = 25 °C  
I
D
−1.1  
A
SC−88 (SOT−363)  
CASE 419B  
Style 26  
State  
T = 85 °C  
A
−0.8  
(Based on R  
)
q
JL  
Power Dissipation  
(Based on R  
Steady T = 25 °C  
0.55  
W
TA  
D
= Device Code  
= Date Code  
A
)
State  
q
JL  
P
D
T = 85 °C  
A
0.29  
Pulsed Drain Current  
t ≤10 ms  
I
±1.2  
A
DM  
PIN ASSIGNMENT  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
150  
1
6
°C  
J
T
STG  
Source−1  
Gate−1  
Drain−1  
Gate−2  
Continuous Source Current (Body Diode)  
I
S
−0.775  
260  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
°C  
T
L
Drain−2  
Source−2  
Top View  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Parameter  
Symbol Typ  
Max Unit  
460 °C/W  
226  
Junction−to−Ambient – Steady State  
Junction−to−Lead (Drain) – Steady State  
R
400  
194  
q
JA  
R
q
JL  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 oz Cu area = 0.9523 in sq.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
January, 2004 − Rev. 2  
NTJD2152/D  
123456

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NTJD2152PT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTJD2152PT4G ONSEMI

完全替代

 Trench Small Signal MOSFET
NTJD2152PT4 ONSEMI

完全替代

 Trench Small Signal MOSFET
NTJD2152PT2G ONSEMI

完全替代

 Trench Small Signal MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Trench Small Signal MOSFET
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 		Trench Small Signal MOSFET
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 		Trench Small Signal MOSFET
NTJD2152PT4G ONSEMI

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 		Trench Small Signal MOSFET
NTJD3158C ONSEMI

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 		Power MOSFET 20 V, +0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected
NTJD3158CT1G ONSEMI

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 		Power MOSFET 20 V, +0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected
NTJD3158CT2G ONSEMI

获取价格

 		小信号 MOSFET，20V，630mA，375 mΩ，双互补 SC−88/SC70−6/
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 		Power MOSFET 20 V, +0.63/-0.82 A, SC-88 Complementary, ESD Protected
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