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NTD5406NG

更新时间： 2024-09-15 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 125K
描述
Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK

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NTD5406NG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.43雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：70 A
最大漏极电流 (ID)：70 A最大漏源导通电阻：0.01 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：100 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

NTD5406NG 数据手册

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NTD5406N  
Power MOSFET  
40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Low Gate Charge  
http://onsemi.com  
• These are Pb−Free Devices  
I
D
MAX  
V
R
TYP  
DS(ON)  
(Note 1)  
(BR)DSS  
Applications  
40 V  
8.7 mΩ @ 10 V  
70 A  
• Electronic Brake Systems  
• Electronic Power Steering  
• Bridge Circuits  
N−Channel  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Units  
V
DSS  
40  
20  
V
V
A
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
Continuous Drain  
I
D
T
= 25°C  
70  
C
Steady  
State  
S
Current − R  
(Note 1)  
ꢀ
JC  
T
C
= 125°C  
40  
Power Dissipation −  
(Note 1)  
Steady  
State  
P
100  
W
D
T
= 25°C  
C
R
MARKING  
DIAGRAM  
ꢀ
JC  
4
Pulsed Drain Current  
t = 10 ꢁ s  
p
I
150  
A
DM  
1
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
STG  
−55 to  
175  
2
1
°C  
J
T
3
YWW  
54  
06NG  
Source Current (Body Diode) Pulsed  
I
63.5  
450  
A
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
S
Single Pulse Drain−to Source Avalanche  
EAS  
mJ  
Energy − (V = 50 V, V = 10 V, I = 30 A,  
DD  
GS  
PK  
L = 1 mH, R = 25 ꢂ)  
G
Y
= Year  
= Work Week  
= Specific Device Code  
= Pb−Free Device  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
260  
°C  
T
L
WW  
5406N  
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
THERMAL RESISTANCE RATINGS (Note 1)  
Device  
Package  
Shipping†  
Parameter  
Junction−to−Case (Drain)  
Symbol  
Max  
Units  
NTD5406NG  
DPAK  
(Pb−Free)  
75 Units / Rail  
R
1.5  
°C/W  
θ
JC  
1. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).  
NTD5406NT4G  
DPAK  
2500 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
May, 2009 − Rev. 2  
NTD5406N/D  
 
12345

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NTD5406NG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NVD5805NT4G ONSEMI

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 		Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single N−Channel DPAK
NTD560 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220
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