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NVD5805NT4G

更新时间： 2024-11-06 12:22:51
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 143K
描述
Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N.Channel, DPAK

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NVD5805NT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DPAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：51 A最大漏极电流 (ID)：51 A
最大漏源导通电阻：0.0095 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：47 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：85 A
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NVD5805NT4G 数据手册

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NTD5805N, NVD5805N  
Power MOSFET  
40 V, 51 A, Single N−Channel, DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
http://onsemi.com  
• Avalanche Energy Specified  
• NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
16 mW @ 5.0 V  
9.5 mW @ 10 V  
40 V  
51 A  
Applications  
D
• LED Backlight Driver  
• CCFL Backlight  
• DC Motor Control  
G
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
S
J
N−CHANNEL MOSFET  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
4
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
V
"20  
"30  
V
GS  
GS  
Gate−to−Source Voltage  
V
V
2
1
− Non−Repetitive (t < 10 mS)  
p
3
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
51  
36  
47  
A
C
D
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
CASE 369C  
DPAK  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
Steady  
State  
T
C
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
C
P
W
D
q
JC  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
85  
A
p
DM  
MARKING DIAGRAM  
& PIN ASSIGNMENT  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to  
175  
°C  
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
30  
80  
A
S
4
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,  
DD  
GS  
G
I
= 40 A, L = 0.1 mH, V = 40 V)  
L(pk)  
DS  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
2
Drain  
1
3
Gate Source  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
5805N = Device Code  
= Pb−Free Package  
Junction−to−Case (Drain)  
R
3.2  
°C/W  
q
JC  
G
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
107  
q
JA  
1. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
April, 2012 − Rev. 4  
NTD5805N/D  
 
123456

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NVD5805NT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTD5805NT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N−Channel, DPAK
NTD5407NT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 40 V, 38 A, Single N−Channel, DPAK
NTD5406NT4G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 40 V, 70 A, Single N−Channel, DPAK

与NVD5805NT4G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NVD5805NT4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，51A，9.5mΩ
NVD5806N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVD5806NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVD5807N ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel,
NVD5807NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 40 V, 23 A, Single N−Channel,
NVD5807NT4G-VF01 ONSEMI

获取价格

 		单 N 沟道功率 MOSFET 40V，23A，31mΩ
NVD5862N_15 ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVD5862NT4G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET
NVD5863NL ONSEMI

获取价格

 		Single N−Channel Power MOSFET
NVD5863NLT4G ONSEMI

获取价格

 		Single N−Channel Power MOSFET

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