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NTD5803NG

更新时间： 2024-11-21 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 106K
描述
Power MOSFET 40 V, 76 A, Single N−Channel, DPAK

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NTD5803NG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.71雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：76 A
最大漏极电流 (ID)：76 A最大漏源导通电阻：0.0072 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：83 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：228 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTD5803NG 数据手册

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NTD5803N  
Power MOSFET  
40 V, 76 A, Single N−Channel, DPAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
• High Current Capability  
• Avalanche Energy Specified  
• These are Pb−Free Devices  
http://onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
Applications  
10.1 mW @ 5.0 V  
7.2 mW @ 10 V  
54 A  
76 A  
40 V  
• CCFL Backlight  
• DC Motor Control  
• Class D Amplifier  
D
• Power Supply Secondary Side Synchronous Rectification  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
G
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage − Continuous  
Gate−to−Source Voltage  
V
"20  
"30  
V
GS  
S
N−CHANNEL MOSFET  
V
GS  
V
− Non−Repetitive (t < 10 mS)  
p
4
Continuous Drain  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
76  
54  
83  
A
C
D
4
Current (R  
(Note 1)  
)
q
JC  
Steady  
State  
T
C
2
1
Power Dissipation  
(R ) (Note 1)  
T
C
P
W
D
3
1
q
JC  
2
3
DPAK  
Pulsed Drain Current  
t = 10 ms  
I
228  
A
p
DM  
DPAK  
CASE 369C  
(Surface Mount)  
STYLE 2  
CASE 369D  
(Straight Lead)  
STYLE 2  
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
Source Current (Body Diode)  
I
76  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
240  
mJ  
AS  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENT  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,  
DD  
GS  
G
I
= 40 A, L = 0.3 mH)  
L(pk)  
4
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
Drain  
L
4
Drain  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
2
Drain  
1
3
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Gate Source  
1
2
3
Junction−to−Case (Drain)  
R
1.8  
64  
°C/W  
q
JC  
Gate Drain Source  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)  
R
q
JA  
Y
WW  
= Year  
= Work Week  
5803N = Device Code  
1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size  
(Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces.  
G
= Pb−Free Package  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
December, 2008 − Rev. 0  
NTD5803N/D  
 
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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