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NTD5867NLT4G

更新时间： 2024-05-23 22:22:34

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	448K
描述
种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:20A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:39mΩ@10V

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NTD5867NLT4G 数据手册

NTD5867

60V N -Channel MOSFET

UMW

Features

• Low R

DS(on)

• High Current Capability

V_DS(V) = 60V

•

I_D=20A (V_GS= 10V)

R_DS(ON)< 39mΩ (V _GS= 10V)

R_DS(ON)<50mΩ (V _GS= 4.5V)

MAXIMUM RATINGS(T = 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Drain−to−Source Voltage

Symbol

Value

Unit

DSS

Gate−to−Source Voltage − Continuous

Gate−to−Source Voltage

− Non−Repetitive (t < 10 ms)

Continuous Drain

= 25°C

= 100°C

= 25°C

Current (R

)

Steady

State

Power Dissipation

)

Pulsed Drain Current

t = 10 ms

Operating Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to

150

°C

stg

Source Current (Body Diode)

Single Pulse Drain−to−Source Avalanche

Energy (V = 50 V, V = 10 V, R = 25 W,

= 19 A, L = 0.1 mH, T = 25°C)

L(pk)

Lead Temperature for Soldering Purposes

(1/8″ from case for 10 s)

260

°C

THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Junction−to−Case (Drain)

3.5

°C/W

Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1)

1. Surface−mounted on FR4 board using 1 in sq pad size

(Cu area = 1.127 in sq [2 oz] including traces.

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

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